近日，山東省科技廳下達了《2024年山東省重點研發(fā)計劃（重大科技創(chuàng)新工程）項目的通知》，淄博高新區(qū)企業(yè)中材高新氮化物陶瓷有限公司的“高導熱氮化硅基板開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化示范”和淄博芯材集成電路有限責任公司的“高性能FCBGA載板研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”項目獲批立項，獲得省級科技創(chuàng)新發(fā)展資金1998萬元，獲批金額占淄博市29%。

據(jù)了解，山東省重點研發(fā)計劃（重大科技創(chuàng)新工程）聚焦傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級、戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)培育壯大、未來產(chǎn)業(yè)前沿引領，以重大關鍵技術(shù)突破、重大創(chuàng)新產(chǎn)品研發(fā)和重大科技成果轉(zhuǎn)化示范為重點，支持具有重大影響力的關鍵共性技術(shù)、前沿引領技術(shù)、現(xiàn)代工程技術(shù)以及顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，為科技創(chuàng)新引領現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系建設，加快形成新質(zhì)生產(chǎn)力提供了持續(xù)性支撐和引領。山東省重點研發(fā)計劃（重大科技創(chuàng)新工程）承擔著關鍵核心技術(shù)攻關的重要使命，科技項目的實施對解決我國關鍵技術(shù)受制于人、關鍵領域“卡脖子”技術(shù)突破具有重大意義。

中材高新氮化物陶瓷有限公司牽頭申報的“高導熱氮化硅基板開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化示范”項目，將系統(tǒng)研究IGBT/MOSFET大功率器件用高熱導率氮化硅基片材料設計、批量穩(wěn)定制備等工藝難題，填補國內(nèi)高導熱氮化硅基板產(chǎn)業(yè)空白，助推功率半導體器件、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。

“此次獲批2024年山東省重點研發(fā)計劃（重大科技創(chuàng)新工程）項目，是公司在高導熱氮化硅基板領域科研實力與創(chuàng)新能力的重要體現(xiàn)。公司將繼續(xù)加大研發(fā)投入，推動更多高水平科研項目的落地轉(zhuǎn)化，為全市科技創(chuàng)新和經(jīng)濟發(fā)展作出更大貢獻?！敝胁母咝碌锾沾捎邢薰矩撠熑苏f道。

“高性能FCBGA載板研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”項目由淄博芯材集成電路有限責任公司牽頭，與新恒匯電子股份有限公司、江西理工大學、山東省科學院激光研究所開展聯(lián)合攻關，合作開發(fā)大尺寸、高性能FCBGA載板。該項目總投資8.1億元，用地150畝，項目投產(chǎn)后，產(chǎn)能規(guī)?？蛇_2.4萬平方米，每年新增銷售收入1億元，利稅3000萬元。

一直以來，淄博高新區(qū)牢固樹立“創(chuàng)新是引領發(fā)展的第一動力”理念，積極引導企業(yè)強化創(chuàng)新思維，激發(fā)企業(yè)創(chuàng)新活力，增強研發(fā)實力，大力支持企業(yè)提高關鍵技術(shù)攻關能力，為實現(xiàn)區(qū)域經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展激發(fā)新質(zhì)生產(chǎn)力。

下一步，淄博高新區(qū)將繼續(xù)堅持創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，引導企業(yè)持續(xù)加大創(chuàng)新投入，加強科研創(chuàng)新實力，圍繞制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關鍵技術(shù)、“卡脖子”難題開展聯(lián)合攻關，積極推動創(chuàng)新鏈、產(chǎn)業(yè)鏈、資金鏈、人才鏈深度融合，為淄博高新區(qū)經(jīng)濟社會高質(zhì)量發(fā)展提供強大科技支撐。